IPT012N08N5ATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPT012N08N5ATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 5
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 80В
Струм стока 279А
Струм стоку в імпульсі 1,2кА
Потужність розсіювання 375Вт
Корпус PG-HSOF-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1,2мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 178нКл
Вид упаковки cтрічка
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat