IPS80R900P7 - Транзистори з каналом N THT

IPS80R900P7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; IPAK SL; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія CoolMOS™ P7
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 3,9А
Потужність розсіювання 45Вт
Корпус IPAK SL
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,9Ом
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Заряд затвора 15нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat