IPS70R1K4P7S - Транзистори з каналом N THT

IPS70R1K4P7S
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; IPAK SL; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія CoolMOS™ P7
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 700В
Струм стока 2,5А
Потужність розсіювання 22,7Вт
Корпус IPAK SL
Напруга затвор-джерело ±16В
Опір в стані провідності 1,4Ом
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Заряд затвора 4,7нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat