IPP80R1K2P7 - Транзистори з каналом N THT

IPP80R1K2P7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO220-3; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Поляризація польовий
Вид каналу збагачений
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело ±20В
Заряд затвора 11нКл
Опір в стані провідності 1,2Ом
Струм стока 3,1А
Потужність розсіювання 37Вт
Напруга сток-джерело 800В
Технологія CoolMOS™ P7
Модель ESD
Тип транзистора N-MOSFET
Корпус PG-TO220-3
Монтаж THT
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat