IPP111N15N3GXKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPP111N15N3GXKSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO220-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 150В
Струм стока 83А
Потужність розсіювання 214Вт
Корпус PG-TO220-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 11,1мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat