IPN60R600P7S - Транзистори з каналом N SMD

IPN60R600P7S
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія CoolMOS™ P7
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока
Потужність розсіювання 7Вт
Корпус PG-SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,6Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 9нКл
Вид каналу збагачений
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat