IPN60R600P7S - Транзистори з каналом N SMD

IPN60R600P7S
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж SMD
Корпус PG-SOT223
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 9нКл
Опір в стані провідності 0,6Ом
Струм стока
Потужність розсіювання 7Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 600В
Технологія CoolMOS™ P7
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat