IPI086N10N3GXKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPI086N10N3GXKSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж THT
Поляризація польовий
Опір в стані провідності 8,6мОм
Струм стока 80А
Напруга затвор-джерело ±20В
Потужність розсіювання 125Вт
Напруга сток-джерело 100В
Технологія OptiMOS™ 3
Корпус PG-TO262-3
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat