IPI076N12N3GAKSA1 - Транзистори з каналом N THT

IPI076N12N3GAKSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 100А; 168Вт; PG-TO262-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 120В
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 168Вт
Корпус PG-TO262-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 7,6мОм
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat