IPDD60R125G7XTMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPDD60R125G7XTMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 20А; Idm: 54А

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 20А
Потужність розсіювання 120Вт
Корпус PG-HDSOP-10-1
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,125Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 54А
Заряд затвора 27нКл
Технологія CoolMOS™ G7
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat