IPD80R2K0P7 - Транзистори з каналом N SMD

IPD80R2K0P7
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 1,9А
Потужність розсіювання 24Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 2Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 9нКл
Технологія CoolMOS™ P7
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat