IPD80R1K0CEATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPD80R1K0CEATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія CoolMOS™ CE
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 5,7А
Потужність розсіювання 83Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 1Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat