IPD60R650CEAUMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPD60R650CEAUMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 600В
Струм стока 6,2А
Потужність розсіювання 82Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,65Ом
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія CoolMOS™ CE
Заряд затвора 20,5нКл
Струм стоку в імпульсі 19А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat