IPD50P04P4L11ATMA2 - Транзистори з каналом P SMD

IPD50P04P4L11ATMA2
Опис

Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; польовий; -40В; -40А; 58Вт

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -40В
Струм стока -40А
Струм стоку в імпульсі -200А
Потужність розсіювання 58Вт
Корпус PG-TO252-3-313
Напруга затвор-джерело -16...5В
Опір в стані провідності 10,6мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 14нКл
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS® -P2
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat