IPD50N06S4L12 - Транзистори з каналом N SMD

IPD50N06S4L12
Опис

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 60В; 36А; 50Вт

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ T2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 36А
Потужність розсіювання 50Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±16В
Опір в стані провідності 12мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 30нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat