IPD350N06LGBTMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPD350N06LGBTMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 20А
Потужність розсіювання 68Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 35мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 116А
Заряд затвора 13нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat