IPD068P03L3GATMA1 - Транзистори з каналом P SMD

IPD068P03L3GATMA1
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія OptiMOS™ P3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -70А
Потужність розсіювання 100Вт
Корпус PG-TO252-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 11мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat