IPB80N06S2L07 - Транзистори з каналом N SMD

IPB80N06S2L07
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 55В
Струм стока 80А
Потужність розсіювання 210Вт
Корпус PG-TO263-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 6,7мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS™
Заряд затвора 95нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat