IPB180N04S4H0 - Транзистори з каналом N SMD

IPB180N04S4H0
Опис

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 40В; 180А; 250Вт

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ T2
Корпус PG-TO263-7
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Струм стока 180А
Напруга сток-джерело 40В
Заряд затвора 173нКл
Опір в стані провідності 1,1мОм
Напруга затвор-джерело ±20В
Потужність розсіювання 250Вт
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat