IPB038N12N3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB038N12N3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 120В
Струм стока 120А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус PG-TO263-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 3,8мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat