IPB025N10N3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

IPB025N10N3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 180А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус PG-TO263-7
Опір в стані провідності 2,5мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Напруга затвор-джерело ±20В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat