IGB50N65S5ATMA1 - Транзистори IGBT SMD

IGB50N65S5ATMA1
Опис

Транзистор: IGBT; 650В; 63А; 135Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора IGBT
Технологія TRENCHSTOP™ 5
Напруги колектор-емітер 650В
Струм колектора 63А
Потужність розсіювання 135Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 200А
Монтаж SMD
Заряд затвора 0,12мкКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Час ввімкнення 50нс
Час вимкнення 199нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat