GT1K2N10I-GFS - Транзистори з каналом N SMD

GT1K2N10I-GFS
Опис

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 3,3А; 1,6Вт; SOT23

Характеристики
Виробник GOFORD SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SGT
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 3,3А
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Монтаж SMD
Заряд затвора 4,2нКл
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat