G4616-GFS - Транзистори багатоканальні

G4616-GFS
Опис

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 40/-40V; 8/-7A; 2/2.8W

Характеристики
Виробник GOFORD SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N/P-MOSFET
Технологія Trench
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 40/-40В
Струм стока 8/-7А
Потужність розсіювання 2/2,8Вт
Корпус SOP8
Напруга затвор-джерело ±20В
Монтаж SMD
Заряд затвора 12/13нКл
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat