G3R350MT12D - Транзистори з каналом N THT

G3R350MT12D
Опис

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт

Характеристики
Виробник GeneSiC SEMICONDUCTOR
Технологія G3R™
SiC
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Корпус TO247-3
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Вид упаковки туба
Напруга затвор-джерело -5...15В
Заряд затвора 12нКл
Опір в стані провідності 0,35Ом
Струм стока
Струм стоку в імпульсі 16А
Потужність розсіювання 74Вт
Напруга сток-джерело 1,2кВ
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat