G230P06M-GFS - Транзистори з каналом P SMD

G230P06M-GFS
Опис

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -48A; 105W; TO263

Характеристики
Виробник GOFORD SEMICONDUCTOR
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія Trench
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -48А
Потужність розсіювання 105Вт
Корпус TO263
Напруга затвор-джерело ±20В
Монтаж SMD
Заряд затвора 62нКл
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat