FQT7N10LTF - Транзистори з каналом N SMD

FQT7N10LTF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,36А; 2Вт; SOT223

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 1,36А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,38Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 6нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat