FQD8P10TM - Транзистори з каналом P SMD

FQD8P10TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,2А; 44Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -4,2А
Потужність розсіювання 44Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 530мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 15нКл
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat