FQD7P20TM - Транзистори з каналом P SMD

FQD7P20TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -3,6А; 55Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -200В
Струм стока -3,6А
Потужність розсіювання 55Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 690мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 25нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat