FQD6N40CTM - Транзистори з каналом N SMD

FQD6N40CTM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 400В
Струм стока 2,7А
Потужність розсіювання 48Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 1Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Заряд затвора 20нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat