FQD1N80TM - Транзистори з каналом N SMD

FQD1N80TM
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.63A; 45W; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія QFET®
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 7,2нКл
Струм стока 0,63А
Опір в стані провідності 20Ом
Напруга затвор-джерело ±30В
Потужність розсіювання 45Вт
Напруга сток-джерело 800В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус DPAK
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat