FQD18N20V2TM - Транзистори з каналом N SMD

FQD18N20V2TM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 9,75А
Потужність розсіювання 83Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,14Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Заряд затвора 26нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat