FQD17P06TM - Транзистори з каналом P SMD

FQD17P06TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -7,6А; 44Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -7,6А
Потужність розсіювання 44Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 135мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 27нКл
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat