FQD16N25CTM - Транзистори з каналом N SMD

FQD16N25CTM
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія QFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 250В
Струм стока 10,1А
Потужність розсіювання 160Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,27Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 53,5нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat