FQD13N10LTM - Транзистори з каналом N SMD

FQD13N10LTM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,3А; 40Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія QFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 6,3А
Потужність розсіювання 40Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,2Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 12нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat