FQD13N06LTM - Транзистори з каналом N SMD

FQD13N06LTM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 28Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока
Потужність розсіювання 28Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,145Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 6,4нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat