FQD12N20LTM - Транзистори з каналом N SMD

FQD12N20LTM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; 55Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія QFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 5,7А
Потужність розсіювання 55Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,32Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 21нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat