FQD11P06TM - Транзистори з каналом P SMD

FQD11P06TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,95А; 38Вт; DPAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -5,95А
Потужність розсіювання 38Вт
Корпус DPAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,185Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 17нКл
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat