FQB5N90TM - Транзистори з каналом N SMD

FQB5N90TM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 3,42А; 158Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 900В
Струм стока 3,42А
Потужність розсіювання 158Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 2,3Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Заряд затвора 40нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat