FQB34P10TM - Транзистори з каналом P SMD

FQB34P10TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23,5А; 155Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -23,5А
Потужність розсіювання 155Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 60мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 110нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat