FQB22P10TM - Транзистори з каналом P SMD

FQB22P10TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15,6А; 125Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -15,6А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,125Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 50нКл
Технологія QFET®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat