FQB12P20TM - Транзистори з каналом P SMD

FQB12P20TM
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,27А; 120Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -200В
Струм стока -7,27А
Потужність розсіювання 120Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 470мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія QFET®
Заряд затвора 40нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat