FQA40N25 - Транзистори з каналом N THT

FQA40N25
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; Idm: 160А; 280Вт; TO3PN

Характеристики
Виробник ONSEMI
Вид упаковки туба
Корпус TO3PN
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж THT
Поляризація польовий
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 110нКл
Опір в стані провідності 70мОм
Потужність розсіювання 280Вт
Напруга затвор-джерело ±30В
Струм стока 25А
Напруга сток-джерело 250В
Струм стоку в імпульсі 160А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat