FQA13N80-F109 - Транзистори з каналом N THT

FQA13N80-F109
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8А; Idm: 50,4А; 300Вт; TO3PN

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 800В
Струм стока 8А
Струм стоку в імпульсі 50,4А
Потужність розсіювання 300Вт
Корпус TO3PN
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,75Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 88нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat