FDT458P - Транзистори з каналом P SMD

FDT458P
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,4А; 3Вт; SOT223

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -3,4А
Потужність розсіювання 3Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,21Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 3,5нКл
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat