FDS8896 - Транзистори з каналом N SMD

FDS8896
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; Idm: 110А; 2,5Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 15А
Струм стоку в імпульсі 110А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 6мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 67нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat