FDS6912A - Транзистори багатоканальні

FDS6912A
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 6А; 1,6Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 28мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 8,1нКл
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat