FDS6898A - Транзистори багатоканальні

FDS6898A
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 9,4А; 2Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 9,4А
Потужність розсіювання 2Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 21мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 23нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat