FDS6673BZ - Транзистори з каналом P SMD

FDS6673BZ
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 2,5Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -14,5А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±25В
Опір в стані провідності 12мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 65нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat