FDS4685 - Транзистори з каналом P SMD

FDS4685
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -40В
Струм стока -8,2А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 42мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 27нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat