FDP52N20 - Транзистори з каналом N THT

FDP52N20
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 33А
Потужність розсіювання 357Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 49мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 63нКл
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat